电气工程师试题填空题

考试科目考试分为基础考试和专业考试。基础考试分为专业基础和公共基础，分2个半天进行，各为4小时，一般上午为统一试卷，下午为分专业试卷(发输变电专业和供配电专业试卷相同率在95%以上，有些题目侧重点不同)。专业考试分专业知识和专业案例两部分内容，每部分内容均分2个半天进行，每个半天均为3小时。参加基础考试或专业考试的考生应分别在当次考试内通过全部应试科目。专业考试均分为2天，第一天为专业知识考试，成绩上、下午合并计分;第二天为专业案例考试，成绩上、下午合并计分。考试时间每天上、下午各3小时。专业考试为非滚动管理考试，考生应在一个考试年度内通过全部考试。第一天为客观题，上、下午各70道题，其中单选题40题，每题分值为1分，多选题30题，每题分值为2分，试卷满分200分;第二天为案例题，上午25道必答题，下午25道必答题(对于有选择作答的25道必答题，如考生在答题卡和试卷上作答超过25道题，按题目序号从小到大的顺序对作答的前25道题评分，其他作答题无效)，每题分值为2分，试卷满分100分。

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1 个体情况下，同功率的开关电源与线性电源比拟，_____A , 体积大，效率高 B体积小，效率低 C, 体积稳定，效率低 D, 体积小，效率高2大功率开关电源少用变动拓扑结构形式是_____A , 反激式 B, 正激式 C, 自激式 D, 激式 3, 个体来说，前进开关电源的频次，则电源_____ A , 同体积时，增大功率 B, 功率减小，体积也减小 C, 功率增大， 体积也增大 D, 效率进步， 体积增大4 肖特基管和快回复复兴管常作为开关电源的____ A , 输出整流管 B, 输入整流管 C, 电压瞬变抑制管 D, 旌旗灯号检波管5 肖特基管与快回复复兴管相比，____ A , 耐压高 B, 反向回复复兴时辰长 C, 正向压降大 D, 耐压低， 正向压降小6 GPSCRGTOPIA CMOSFETIGBT中，那些是开关电源中变压器罕用的驱动元件____ A , GTO和GP B, PIA C 和IGBT C, MOSFET和IGBT DSCR和MOSFET7 开关电源变压器的耗损重要包孕：____ A , 磁滞损耗、铜阻损耗、涡流消耗 B, 磁滞损耗、铜阻损耗、介电损耗 C, 铜阻损耗、涡流消耗、介电损耗 D, 磁滞损耗、涡流消耗、介电损耗8开关电源变压器的初级漏感测量方法是___ A , 次级开路，测初级电感 B, 初级开路，测次级电感C, 次级短路，测初级电感 D, 初级短路，测次级电感9开关电源变压器的激磁电感测量方法是___ A , 次级开路，测初级电感 B, 初级开路，测次级电感C, 次级短路，测初级电感 D, 初级短路，测次级电感10变压器初次级间加屏蔽层的目的_____ A , 减小初次间漫衍电感引起的烦扰 B, 减小初次间分布电容惹起的烦扰 C, 前进效力 D, 增大绝缘才能11减小开关驱动管的耗损重要路过是_____ A , 选用低导通电阻驱动管 B, 前进驱动管的驱动旌旗灯号的边沿陡度 C, 前进开关频次 D, A 和B及减小开关频次12已知功率管的管芯至管壳的热阻为℃/W,管壳至散热器的热阻为℃/W, 散热器至自由空气的热阻为10℃/W,环境温度为70℃，如功率管的耗损为6W使命半小时后，管芯温度大约为___ A , ℃ B ℃ C, 70℃ D, 102℃13220VA C输出的电源，输入对外壳、输入对输出的工频耐压实行值一般是_____ A ,500V1000V B, 1500V2500V C, 2500V,1500V D,1000V,1500V14 电容的耗损包含漏电耗损和介电损耗，其中介电损耗是重要消耗，耗损角____ A , 越大，耗损越小 B,越小，耗损越小 C,耗费有功功率与视在功率之比 D, 无功功功率与视在功率之比15电感饱和是指_____ A , 经由过程的磁通随电流变动而变化 B, 电抗不变 C, 电抗减小 D,电抗增大 16电感、磁环、磁珠的利用不同首要是____ A , 电感用于滤波、磁环套在流有较大电流的导线上抗射频干扰、磁珠用于信号线抗射频干扰 B, 电感用于滤波、磁珠套在流有较大电流的导线上抗射频干扰、磁环用于信号线抗射频干扰 C, 磁环用于滤波、磁珠套在流有较大电流的导线上抗射频干扰、电感用于信号线抗射频干扰 D, 磁珠用于滤波、磁环套在流有较大电流的导线上抗射频干扰、电感用于信号线抗射频干扰 17真空放电管、压敏电阻、TVS管分别用于____瞬间过压保护。 A , 电子元器件电子装备电气装备 B,电子装备、电气装备、电子元器件 C, 电气装备、电子元器件、电子装备 D,电气装备、电子装备、电子元器件 18EMS测试中，IEC61000标准中浪涌电压、电快速脉冲的脉宽/边沿请求是___ A , 50μS/5μS 50nS/5nS B, 50μS/5nS 50nS/5nS C, 100μS/1μS 100nS/10nS D, 5μS/5nS 100nS/10Ns 19, 220VA C电源输入滤波器共模阻抗与差模阻抗相比, _____. A , 共模阻抗与差模阻抗基本相同 B, 共模阻抗小于差模阻抗 C, 共模阻抗大于差模阻抗 D, 共模阻抗等于差模阻抗的平方 20, 模仿电路地与数字电路地一点共地的目的___. A , 减小数字电路地线电流 B, 减小仿照电路受到辐射干绕 C, 增大仿照电路与数字电路的共地阻抗D, 减小仿照电路与数字电路的共地阻抗答案： 2. B 3. A

一般笔试重点测试考生的政策理论水平、分析解决实际问题的能力和文字表达能力等综合素质。题型主要包括论述题、案例分析题、公文处理、对策性文章等形式。归纳起来就是读材料,看材料中反映了什么问题，然后提出解决问题的办法。考试时间一般是小时，3-4道题。案例分析题可能会有两问，公文写作每年公文种类不定，有时是通知，有时是调研报告，有时又是会议纪要，有时会是公文改错题等等，大作文一般是对策性论文，就是写怎么办的文章。分值分布一般是案例分析30-40分（2道题左右），公文写作（1道题）20-30分，对策性论文（1道题）40分。

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